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產(chǎn)品名稱

中文名稱：ACS Material 一步轉(zhuǎn)移氮化硼薄膜

英文名稱：ACS Material Trivial Transfer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) 

性質(zhì) 

制備方法：CVD

晶粒尺寸：>4 um

覆蓋率：100%

備注：此款產(chǎn)品屬于單層氮化硼薄膜，單層率沒有具體測量數(shù)據(jù)，通過電鏡圖片觀察大約在95%以上。

應(yīng)用

HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應(yīng)用，例如納米電容器、場效應(yīng)隧道晶體管。作為單分子膜還可被用作介質(zhì)或基片。

其他信息

請于4℃密封保存 ，開封前*長保質(zhì)期為1個月。