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納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp Z3000介紹

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀采用先進(jìn)的設(shè)計理念優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計，充分有效地融合了動態(tài)光散射(Dynamic Light Scattering， DLS)和電泳光散射(ELS)技術(shù)，即可以多角度（步長0.9μm;）檢測分析液態(tài)納米顆粒系的粒度及粒度分布，又可以小角度測量Zeta電位。粒度測試范圍：粒度測試范圍：0.3 nm – 10 μm。

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀通過檢測分析膠體顆粒的電泳遷移率測量Zeta電位。Zeta電位是對顆粒之間相互排斥或吸引力的強(qiáng)度的度量，是表征膠體分散系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)，Zeta電位（正或負(fù)）越高，體系越穩(wěn)定。Zeta電位表征的是粒子之間的排斥力。由于大部分的水相膠體體系是通過粒子之間的靜電排斥力來保持穩(wěn)定的，粒子之間的排斥力越大，粒子越不容易發(fā)生聚集，膠體也會越穩(wěn)定。NICOMP 380 Z3000結(jié)合了動態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射法（ELS），實現(xiàn)了同機(jī)測試納米粒子分布和Zeta電勢電位。

應(yīng)用行業(yè)：磨料、化學(xué)機(jī)械拋光液、陶瓷、粘土、涂料、污染監(jiān)測、化妝品、乳劑、食品、液體工作介質(zhì)/油、墨水、 乳液、色漆、制藥粉體、顏料、聚合物、蛋白質(zhì)大分、二氧化硅以及自組裝TiO_2納米管(TNAs)等

自動滴定儀

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀在增加自動滴定模塊后，可以一次性使用同一樣品在不同PH值或不同離子濃度的條件下進(jìn)行一系列測試，實現(xiàn)了在等電點測試的技術(shù)難題。

相位分析光散射法PALS（Phase Analyze Light Scattering）技術(shù)

PSS 于 2004 年推出ling先的 PALS 技術(shù)，用相位（Phase）變化的分析取代原 先頻譜的漂移，不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高，而且突破了水相體系的限制，對油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

NICOMP 380 Z3000 納米粒徑與電位分析儀特點

同機(jī)測試懸浮液體的粒徑分布以及ZETA電勢電位

Zeta電位運用了多普勒電泳遷移原理以及zui新的相位分析散射法可以測試水相和有機(jī)相的樣品

檢測范圍寬廣，亞微米顆粒均可以被檢測

樣品測試量小

高辨析率

結(jié)果重現(xiàn)性好，誤差小于1%

100 % 樣品可回收li用

可搭載自動滴定儀， 自動稀釋器和自動進(jìn)樣器

無須校準(zhǔn)

一次性進(jìn)樣，避免交叉污染樣品

可選配大功率激光發(fā)生器以及jun品級APD雪崩二極管檢測器來檢測粒徑小于1nm的顆粒

技術(shù)參數(shù)：

電泳光散射法（ELS）與粒子的動電（Zeta）電位：

ELS 是將電泳和光散射結(jié)合起來的一種新型光散射。它的光散射理論基礎(chǔ)是 準(zhǔn)彈性碰撞理論，只是在實驗時在式樣槽中多加一個外電場，帶電粒子即以固定 速度向與帶電粒子電性相反的電極方向移動，與之相應(yīng)的動力光散射光譜產(chǎn)生多普勒漂移，這一漂移正比于帶電粒子的移動速度，因此實驗測得譜線的漂移，就 可以求得帶電粒子的電泳速度，從而求得ζ-電位。

相位分析光散射法PALS（Phase Analyze Light Scattering）技術(shù)

PSS 于 2004 年推出ling先的 PALS 技術(shù)，用相位（Phase）變化的分析取代原 先頻譜的漂移，不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高，而且突破了水相體系的限制，對油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

動態(tài)光散射原理

Nicomp 380納米粒徑分析儀采用動態(tài)光散射（Dynamic Light Scattering， DLS）原理來獲得范圍在0.3 nm到10 μm的膠體體系的粒度分布。DLS是通過一定波長的聚焦激光束照射在懸浮于樣品溶液的粒子上面，從而產(chǎn)生很多的散射光波。這些光波會互相干涉從而影響散射強(qiáng)度，散射強(qiáng)度隨時間不斷波動，二者之間形成一定的函數(shù)關(guān)系。粒子的擴(kuò)散現(xiàn)象（或布朗運動）導(dǎo)致光強(qiáng)不斷波動。光強(qiáng)的變化可以通過探測器檢測得到。使用自相關(guān)器分析隨時間而變的光強(qiáng)波動就可以得到粒度分布系數(shù)（Particle size distribution， PSD）。單一粒徑分布的自相關(guān)函數(shù)是一個指數(shù)衰減函數(shù)，由此可以很容易通過衰減時間計算得到粒子擴(kuò)散率。zui終，粒子的半徑可以很容易地通過斯托克斯（Stokes-Einstein）方程式計算得到。

如下是Nicomp 380納米粒徑分析儀的檢測原理簡圖：

大部分樣品一般都不均勻，往往會呈現(xiàn)多分散體系狀態(tài)，即測出來的粒徑正態(tài)分布范圍會比較大，直觀的呈現(xiàn)是粒徑分布峰比較寬。自相關(guān)函數(shù)是由多組指數(shù)衰減函數(shù)綜合組成，每一個指數(shù)衰減函數(shù)都會因指數(shù)衰減時間不同而存在差異，此時計算自相關(guān)函數(shù)就變得不再簡單。

Nicomp 380納米粒徑分析儀巧妙運用了去卷積算法來轉(zhuǎn)化原始數(shù)據(jù)，從而得出zui接近真實值的粒度分布。Nicomp 尤其適合測試粒度分布復(fù)雜的樣品體系，li用一組獨特的去卷積算法將簡單的高斯正態(tài)分布模擬成高分辨率的多峰分布模式，這種去卷積分析方法，即得到PSS粒度儀公司獨有的粒徑分布表達(dá)方法—Nicomp分布（Nicomp Distribution）。

有些儀器的高斯分析模式可以使用基線調(diào)整參數(shù)的功能，以此來補(bǔ)償測試環(huán)境太臟而超出儀器靈敏度的問題。高斯分析模式也可以允許使用者指定“固體重量模式”或者“囊泡重量模式”來分析帶有小囊泡的膠體體系，比如脂質(zhì)體。

Nicomp分析方法是一種專li的高分辨率的去卷積算法，它**在1990年提出并應(yīng)用于分析和統(tǒng)計粒徑分布。在歷史上已經(jīng)證明Nicomp分析方法能夠精確分析非常復(fù)雜的雙峰樣品分散體系（比如 2：1比例），甚至是三峰樣品分散體系。在科學(xué)研究中，找到粒子聚集分布的雜峰是非常有用的。

NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀廣泛適用于檢測懸浮在水相和有機(jī)相的顆粒物。