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IRPD5521Y型InGaAsPD/APD-TIA光電模塊

筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

● 高靈敏度

● 工作波長(zhǎng)范圍：1260~1650nm

● 單電源供電

● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)

● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

產(chǎn)品應(yīng)用

● 無源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)

● 吉比特以太網(wǎng)與光纖信道

● 其它應(yīng)用Other application

技術(shù)參數(shù)

****額定值 T=25deg

封裝及尺寸

引腳定義

注意事項(xiàng)

a.嚴(yán)格按照引腳說明連接，輸出AC耦合時(shí)，差分負(fù)載應(yīng)為100Ω。

b. 貯運(yùn)、使用過程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。

c.器件屬于高電壓工作器件，使用時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和措施避免人體受到傷害。

產(chǎn)品信息

型號(hào)：IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

速率□□□□：

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探測(cè)器類型☆：

A: APD

P: PD

T: TIA

封裝XX：

PG:尾纖

TO:TO封裝

咨詢電話：021-64149583、021-56461550、021-65061775

公司郵箱：info@micro***********

公司地址：上海市楊浦區(qū)黃興路2077號(hào)藍(lán)天大廈21F