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Intense**的QWI技術可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內產生有源區和無源區，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡(NAMs)，可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災變(COMD)，性能更可靠穩定。產品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列，可獨立尋址的半導體激光器陣列。

主要特點

·波長8xx，9xxnm ，功率<200mW

·減少復雜性、節約成本、高可靠性

·量子阱混合技術、高質量光學

·封裝緊湊、可作為直接光源

·應用包括數字式彩打、光動力療法、通信、材料加工