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單光子計數模塊|硅APD探測模塊SPDSi|Si-APD單光子探測器

單光子計數模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm，可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi特有的高性能主動抑制電路，可以實現連續的單光子探測，并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實現了大于20 dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發揮到**狀態。在700 nm波段的探測效率超過60%，暗計數200-2000 cps，死時間小于50 ns。

SPDSi標準型號的有效光敏探測面積**可達500 um，單光子計數信號在模塊內部轉化為數字TTL信號，并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設計便于OEM應用和工業集成。

APD通過模塊內部制冷工作在-20 ℃的低溫環境下，以獲得**的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達±0.2 ℃。

技術特點：

• 高探測效率：65%@700 nm

• 500 um光敏面積

• TTL數字信號輸出

• 低暗計數

• 低后脈沖

• 低時間抖動

應用領域：

• 熒光測量

• 激光測距

• 量子通信

• 光譜測量

• 光子關聯

• 自適應光學

Fig3. Si單光子探測器結構圖

產品參數：

產品說明：

1.不正確的電壓可能損壞模塊，應保證接入電源不高于28V，并可提供足夠電流。

2.APD屬于高靈敏光電探測器件，在雪崩狀態下應控制輸入光信號強度，過高的光強可能損壞APD，這種損害可能降低APD的探測靈敏度，嚴重時甚至會造成二極管擊穿。

3.在特殊的應用場景下，應保證模塊的工作溫度不超過50 ℃，過高的溫度可能導致APD工作溫度上升，從而引起暗計數水平升高。

4.SPDSi的默認死時間為50ns。死時間設定會影響模塊的**計數率，當死時間設定在50ns時，**計數率為10Mcps，如您的應用對死時間設定有特別要求，請在訂購時與我們聯系。

5.同樣，輸出信號的脈寬也會影響**計數率，典型脈寬為30 ns，如您的應用對輸出信號有特別要求，請在訂購時與我們聯系。

6.SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測器選型：