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>UPD系列超快光電探測(cè)器

UPD系列超快光電探測(cè)器

直接聯(lián)系

上海尖豐光電技術(shù)有限公司

德國(guó)

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià)：

面議

關(guān)注度：

469

產(chǎn)品介紹

UPD超快光電探測(cè)器(Ultrafast_Photodetectors)

品牌：ALPHLAS UPD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介： ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列*適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量。可提供檢測(cè)*短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。 所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過(guò)氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。 是**可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。 另一種類型獨(dú)特的紫外線敏感的InGaAs 探測(cè)器，可用于檢測(cè)從350到1700納米范圍內(nèi)的激光脈沖，因此具有*寬的光譜范圍和**的響應(yīng)速度。**的阻抗匹配和***的微波技術(shù)，確保測(cè)量的脈沖波形的保真度。用戶可以自由使用50Ω的匹配電阻，進(jìn)行**響應(yīng)速度的檢測(cè)。或?yàn)楂@得大的信號(hào)響應(yīng)曲線，加入高阻抗負(fù)載。保證了UPD產(chǎn)品為不同的應(yīng)用提供**的靈活性。 結(jié)合BBA系列寬帶高增益放大器，高速光探測(cè)器對(duì)于取代昂貴和繁瑣的雪崩光電二極管是一個(gè)極好的選擇。UPD的系列高速光電探測(cè)器是激光和光子學(xué)研究的不可缺少的工具。

產(chǎn)品圖片：

特點(diǎn)：

  • 超高速運(yùn)行

  • 上升時(shí)間：15 ps - 500ps

  • 帶寬：**達(dá)25 GHz

  • 光譜范圍：170 - 2600納米

  • 緊湊封裝

  • 電池或外部電源

  • 自由空間光入射或FC/PC型

  • 接頭或光纖尾纖

應(yīng)用：

  • 脈沖形式測(cè)量

  • 脈沖寬度測(cè)量

  • 精確的同步

  • 模式變化監(jiān)控

  • 外差測(cè)量

UPD系列：

Photodetector Model

Rise Time(ps)

Band-width(GHz)

Spectral Range(nm)

Quantum Efficiency@ Peak

SensitiveArea (Dia. μm/mm2)

Noise Equiv. Power (W/√Hz)

DarkCurrent (nA)

Material

Optical Input / Window Type 1)

RF Output Connec-tor

UPD-15-IR2-FC

< 15

> 25

800 - 1700

75%

Fiber， 9 μm

1.0 × 10-15

0.1

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-30-VSG-P

< 30

> 10

320 - 900

40%

200x200/0.04

3.0 × 10-15

0.1

GaAs

Polished， glass

SMA

UPD-35-IR2-P

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Polished， glass

SMA

UPD-35-IR2-D

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Diffuse， quartz

SMA

UPD-35-IR2-FR

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-35-IR2-FC

< 35

> 10

800 - 1700

80%

Fiber， 9 μm

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-35-UVIR-P

< 35

> 10

350 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs4)

Polished， MgF2

SMA

UPD-35-UVIR-D

< 35

> 10

350 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs4)

Diffuse， quartz

SMA

UPD-40-VSI-P

< 40

> 8.5

500 - 1690

40%

200x200/0.04

3.0 × 10-10

5000

InGaAs

Polished， glass

SMA

UPD-40-IR2-P

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Polished， glass

SMA

UPD-40-IR2-D

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Diffuse， quartz

SMA

UPD-40-IR2-FR

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-40-IR2-FC

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

Fiber， 9 μm

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-40-UVIR-P

< 40

> 8.5

350 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs4)

Polished， MgF2

SMA

UPD-40-UVIR-D

< 40

> 8.5

350 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs4)

Diffuse， quartz

SMA

UPD-50-SP

< 50

> 7.0

320 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si

Polished， glass

SMA

UPD-50-SD

< 50

> 7.0

320 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si

Diffuse， quartz

SMA

UPD-50-UP

< 50

> 7.0

170 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si 4)

Polished， MgF2

SMA

UPD-50-UD

< 50

> 7.0

170 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si 4)

Diffuse， quartz

SMA

UPD-70-IR2-P

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Polished， glass

SMA

UPD-70-IR2-D

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Diffuse， quartz

SMA

UPD-70-IR2-FR

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-70-IR2-FC

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

Fiber， 9 μm

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-70-UVIR-P

< 70

> 5.0

350 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs4)

Polished， MgF2

SMA

UPD-70-UVIR-D

< 70

> 5.0

350 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs4)

Diffuse， quartz

SMA

UPD-100-IR1-P

< 100

> 3.0

400 - 2000

80%

80/0.005

3.0 × 10-13

700

Ge

Polished， glass

SMA

UPD-200-SP

< 175

> 2.0

320 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si

Polished， glass

BNC

UPD-200-SD

< 175

> 2.0

320 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si

Diffuse， quartz

BNC

UPD-200-UP

< 175

> 2.0

170 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si 4)

Polished， MgF2

BNC

UPD-200-UD

< 175

> 2.0

170 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si 4)

Diffuse， quartz

BNC

UPD-300-SP

< 300

> 1.0

320 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si

Polished， glass

BNC

UPD-300-SD

< 300

> 1.0

320 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si

Diffuse， quartz

BNC

UPD-300-UP

< 300

> 1.0

170 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si 4)

Polished， MgF2

BNC

UPD-300-UD

< 300

> 1.0

170 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si 4)

Diffuse， quartz

BNC

UPD-500-SP

< 500

> 0.6

320 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si

Polished， glass

BNC

UPD-500-SD

< 500

> 0.6

320 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si

Diffuse， quartz

BNC

UPD-500-UP

< 500

> 0.6

170 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si 4)

Polished， MgF2

BNC

UPD-500-UD

< 500

> 0.6

170 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si 4)

Diffuse， quartz

BNC

UPD-3N-IR2-P

< 1506)

> 0.46)

800 - 2100

75%

300/0.07

1.5 × 10-13

90

InGaAs

Polished， glass

BNC

UPD-5N-IR2-P

< 2006)

> 0.36)

800 - 2600

70%

300/0.07

7.0 × 10-13

2000

InGaAs

Polished， glass

BNC

UPD-2M-IR2-P

< 75000

> 0.004

900 - 1700

80%

2000/3.14

4.0 × 10-14

5

InGaAs

Polished， glass

BNC

UPD-2M-IR2-P-1TEC3)

< 75000

> 0.004

900 - 1700

75%

2000/3.14

1.0 × 10-14

0.3

InGaAs

Polished， glass

BNC

MSM超快光電探測(cè)器UltraFast

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：UltraFast系列MSM超快光電探測(cè)器，探測(cè)帶寬可達(dá)35GHz，探測(cè)波長(zhǎng)范圍400~1600nm。經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，探測(cè)器脈沖拖尾降至*低，并可無(wú)震蕩脈沖響應(yīng)工作。所采用的MSM結(jié)構(gòu)（金屬－半導(dǎo)體－金屬）具有電容低、串聯(lián)阻抗低和感應(yīng)面積大等內(nèi)在優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使得探測(cè)器具有優(yōu)良的性能。特殊的結(jié)構(gòu)和摻雜，提高了探測(cè)器的響應(yīng)度，降低了電噪聲。MSM探測(cè)器是測(cè)定高速光源和光波系統(tǒng)的時(shí)頻特性的理想選擇。

兩種型號(hào)：

UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)

UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)

技術(shù)參數(shù)：

UltraFast-20-xx

UltraFast-35-xx

探測(cè)器類型

MSM (Metal – Semiconductor – Metal)

感應(yīng)材料

InGaAs

帶寬 (-3 dB)

DC – 20 GHz

DC – 35 GHz

上升時(shí)間 (10% - 90%)

< 12 ps

< 11 ps

脈寬 (FWHM)

< 20 ps

< 18 ps

波長(zhǎng)范圍

<400 nm – 1.6 μm

**響應(yīng)度*

0.24 A/W @ 810 nm

0.19 A/W @ 1.3 μm

0.12 A/W @ 1.5 μm

0.12 A/W @ 810 nm

0.1 A/W @ 1.3 μm

0.06 A/W @ 1.5 μm

偏置電壓

2 V – 9 V

偏置輸入接口

SMC male

標(biāo)準(zhǔn)射頻信號(hào)輸出口

K-Type female

* 跟耦合結(jié)構(gòu)有關(guān)，響應(yīng)度值可能會(huì)降低。

上海尖豐光電技術(shù)有限公司

AOE TECH CO.，LTD

地址：上海市閔行區(qū)元江路3599號(hào)328室

郵編： 201109

電話： 021- 64306513

傳真： 021- 64306513

E-mail： sales@ao*********

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UPD系列超快光電探測(cè)器

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