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日立高新超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需**300萬倍穩定觀察的先進半導體器件，高分辨成像所設計。

• 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。

• 0.4nm / 30kV（SE）

• 1.2nm / 1kV（SE）

• 0.34nm / 30kV（STEM）

• 用改良的高真空性能和****的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。

• 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。