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勞厄單晶取向測試系統：

• 背散射勞厄測試系統，實時確定晶體方向，精度高達0.1度；

• PSEL 軟件定向誤差低至 0.05度；

• 多晶硅片二維定向mapping；

• 大批量樣品篩選；

• 超20kg重負荷樣品定位

水平放置系統

垂直放置系統

配備PSEL CCD 背反射勞厄X-RAY 探測器：

• 有效輸入探測面約： 155*105 mm

• *小輸入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素陣列

• 可選曝光時間從1ms 到35分鐘

• 芯片上像素疊加允許以犧牲分辨率為代價增強靈敏度

• 自動背景扣除模式

• 16位高精度采集模式

• 12位快速預覽模式

• PSEL 勞厄影像采集處理專業軟件

勞厄影像校準軟件：

• 自動檢測衍射斑點，并根據參考晶體計算斑點位置；

• 根據測角儀和晶體軸自動計算定向誤差(不需要手動擬合扭曲的圖形)

• 以CSV格式保存角度測量值，以進一步保證質量的可追溯性；

• 頂部到底部的終端用戶菜單，允許資深結晶學用戶自行逐步確認定位程序；

• 基于Python的軟件，允許使用套接字命令對現有軟件/系統進行遠程訪問控制；

系統附件包括：

• 勞厄X-RAY 探測器

• 勞厄校準軟件

• 高亮度X-RAY 發生器

• 電動/手動 角位移臺& 高精度位移臺；

• 樣本定位/視頻監控 攝像頭；

• 激光距離傳感器/操縱桿

典型勞厄衍射應用圖樣：

勞厄單晶取向測試系統應用方向：

• 探測器材料： HgCdTe/CdTe， InGaAs， InSb;

• 窗口玻璃材料&壓電/鐵電陶瓷： Al2O3， Quantz，LiNbO3

• 金屬合金： 鎢，鉬，鎳基合金；

• 激光晶體材料： YAG， KTP， GaAs

• 薄膜/半導體基地材料： AIN， InP SiC;

• 磁性&超導材料: BCO/BSCCO/HBCCO， FeSe， NbSn/NbTi

• 閃爍體材料： BGO/LYSO， CdWO4， BaF2/CaF2;