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一、產品介紹

碳化硅晶體材料是新一代寬禁帶半導體材料,可以突破硅基半導體材料的理論限制,它具有熱導率高(硅的3倍)、擊穿電場強度高(硅的 10 倍)、飽和電子漂移速度高(硅的2倍)、介電常數小、抗輻射能力強以及良好的化學穩(wěn)定性、與 Ga N 晶格失配小(4%)等特點，是新一代發(fā)光二極管(LED)襯底材料、大功率電力電子材料。

本公司生產的此類產品主要針對第三代半導體碳化硅單晶的生長需求，粒徑可實現(xiàn)百微米到毫米級精準控制，產品純度可達6N和6.8N兩個級別，其中半絕緣型產品氮含量低于 0.5ppm,導電型產品氮含量可根據需求選擇不同含量區(qū)間（<5ppm；5ppm-20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm）類型。

二、電鏡圖

三、粒度圖