常規(guī)硅片

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

晶沐光電

型號：

常規(guī)硅片

關(guān)注度：

294

產(chǎn)品介紹

介紹：硅片的原始材料是高純度的多晶硅，經(jīng)過一系列復(fù)雜的加工工藝，包括晶體生長、研磨、拋光、切片等步驟后形成，以滿足半導(dǎo)體芯片制造的要求。

應(yīng)用：硅片廣泛用于集成電路（IC）、功率半導(dǎo)體、傳感器和光電子器件，是半導(dǎo)體行業(yè)的核心材料。它支撐了智能手機、計算機、5G通信、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的發(fā)展。隨著先進(jìn)封裝和硅光子技術(shù)的進(jìn)步，硅片在高性能計算（HPC）和光通信中發(fā)揮著重要作用。

產(chǎn)品規(guī)格書

單晶硅襯底（2~12英寸）
直徑	50.8mm	76.2mm	100mm	150mm	200mm	300.mm
厚度	400μm	400μm	500μm	625μm	725μm	775μm
表面晶向	<100> ∣ <111> ∣ <110>
生長方式	CZ ∣ FZ
摻雜類型	N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)		P-type(B-Doping)		Intrinsic
定位邊晶向	16mm	22mm	32.5mm	47.5mm	Notch	Notch
電阻率	0.001-0.005ohm-cm		1-100ohm-cm		＞10000ohm-cm
正面狀態(tài)	Epi-polished,Ra<0.5nm
反面狀態(tài)	SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
總厚度偏差TTV	≤8μm	≤10μm	≤10μm	≤20μm	≤30μm	≤30μm
彎曲度BOW	≤10μm	≤12μm	≤15μm	≤25μm	≤40μm	≤45μm
翹曲度WARP	≤12μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm	≤60μm	≤60μm
邊緣去除	≤2 mm				≤3 mm

產(chǎn)品性能表

單晶硅 Si
Growth Method 生長方式	CZ/FZ
Crystal Structure 晶體結(jié)構(gòu)	Diamond
Lattice Constant(nm) 晶格常數(shù)	a=5.4305?
Density(g/cm3) 密度	2.329
Melting point 熔點（℃）	1410℃
Mohs Hardness(mohs) 莫氏硬度	7
Dielectric Constant 介電常數(shù)	11.8
Band Gap(eV) 禁帶寬度	1.1
Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) 擊穿電場	0.3
Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K ) 熱導(dǎo)率（導(dǎo)電型）	1.48
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) 電子遷移率	1480
熱膨脹系數(shù)	2.6×10^-6 /℃
折射率	3.5

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產(chǎn)品規(guī)格書

產(chǎn)品性能表