直徑

25.4 ± 0.3 mm

50.8 ± 0.5 mm

厚度

450 ± 30μm

450 ± 30μm

生長方式

MPCVD

正面狀態

Polished,Ra＜ 1.0 nm

反面狀態

Polished; Grinding

熱膨脹系數

1.3 (10-6K-1)

熱導率

1000-2000W/m.K

總厚度偏差TTV

≤5 mm

≤10 mm

邊緣去除

≤3 mm

晶體結構

立方晶體

禁帶寬度(eV)

5.47eV

熔點（℃）

4027℃

莫氏硬度(mohs)

10

熱導率(W·cm^-1·℃^-1)

20W·cm^-1·℃^-1

熱膨脹系數(℃^-1)

0.8×10^-6

晶格常數(nm)

0.3567

電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

1600

擊穿電場(MV·cm^-1)

10

JFM指數（power）

5330

BFM指數(SW)

14860

BHFM指數(RF)

1080

折射率

2.417