粉體行業在線展覽
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氮化鎵單晶襯底
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江陰晶沐光電新材料有限公司
江蘇
面議
晶沐光電
氮化鎵單晶襯底
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介紹：氮化鎵（GaN）是氮和鎵的化合物，是一種III和V的直接能隙的半導體。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特。具有高熱導率、高擊穿電壓、高效率，適合高性能電子和光電子應用。
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應用：用于高端激光芯片等；應用于激光顯示技術，如家庭影院、商業投影、AR/VR設備、車載顯示等；用于5G通信基站、衛星通信、雷達系統等高頻高功率場景。紫外探測器、高亮度LED、高效率功率轉換器、電動汽車充電器等。
產品規格書
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氮化鎵單晶襯底（2~4英寸） | |||
直徑 | 50.8 mm | 76.2mm | 100mm |
厚度 | 400μm | 450μm | 450μm |
端面晶向 | （0001） ± 0.2°Ga face | ||
斜切角（C偏M） | 0.5°C-plane off angle toward M-axis | ||
斜切角（C偏A） | 0.0°C-plane off angle toward A-axis | ||
主定位邊晶向 | M-plane (10-10) ± 2.0? | ||
主定位邊長度 | 16mm | 22mm | 32mm |
次定位邊晶向 | Ga face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0? | ||
次定位邊長度 | 8mm | 11mm | 18mm |
正面狀態 | ≤ 0.3 nm(10μm ×10μm) | ||
反面狀態 | Polished; Etched | ||
鐳刻碼面 | Back side：N-Face | ||
總厚度偏差TTV | ≤15μm | ≤25μm | ≤30μm |
彎曲度BOW | ≤20μm | ≤30μm | ≤40μm |
翹曲度WARP | ≤30μm | ≤45μm | ≤60μm |
邊緣去除 | ≤5 mm | ||
電學參數 | 摻雜元素 | 電阻率 | / |
Semi-Insulating (Carbon) | ≥1E8 ohm-cm | / | |
N-type (Silicon) | ≤0.02 ohm-cm | / | |
UID（Undoped） | ≤0.2 ohm-cm | / | |
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氮化鎵單晶襯底（2~4英寸） | |
晶體結構 | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.45eV |
熔點（℃） | 2400℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.5 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 1.3W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(℃-1) | αa=5.6×10-6 |
晶格常數(nm) | a=0.3189 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 900 |
擊穿電場(MV·cm-1) | 4.9 |
JFM指數（power） | 790 |
BFM指數(SW) | 910 |
BHFM指數(RF) | 100 |
