粉體行業(yè)在線展覽
HVPE氫化物氣相外延爐
面議
晶升電子
HVPE氫化物氣相外延爐
308
簡(jiǎn)介 : 1.高生長速率、低缺陷密度。 2.橫向縱向生長比率高、孔洞少,可以生長大面積厚膜。 3.單晶生長速率:≥100微米/小時(shí)。 4.產(chǎn)品尺寸:2/4/6英寸。
坩堝下降設(shè)備.
晶體提拉設(shè)備
坩堝下降設(shè)備
氮化鋁晶體爐
氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設(shè)備1
導(dǎo)模法晶體生長爐
氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長爐
HVPE鹵化物氣相外延爐
氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設(shè)備
HVPE氫化物氣相外延爐
籽晶粘接設(shè)備1
液相法晶體生長爐
JRF 系列
略
VSF-V 石英槽沉爐
氮化鋁粉體量產(chǎn)爐
碳化硅涂層CVD爐
厚膜燒結(jié)爐
蓄熱式熱力氧化RTO
RBC系列反應(yīng)燒結(jié)爐
中頻感應(yīng)爐
燒結(jié)爐(硬質(zhì)合金)
FZL(T)-360/17
YSJ-171212