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SDBG工藝裝備
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SDBG工藝裝備
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SDBG設備介紹（工藝介紹）
HGL1352系列隱形激光切割裝備是國內首臺具備量產能力，且獲得先進封裝企業認可的SDBG裝備。是半導體先進封裝的SDBG工藝過程中必不可少的高精度晶圓襯底內部隱裂紋加工設備。集成了公司的核心激光技術及一系列先進工藝技術訣竅，在核心技術上取得了多項重大突破。
? 產品全系采用自主研發的高性能激光器及光學系統
? 采用優異的散射控制技術，確保隱裂紋誘導的精度
? 超高精密氣浮式高速平臺
? 采用 Load port+6 軸機械臂進行上/下料及晶圓搬運
? 切割過程中實時補償、實時糾偏
HGL1352系列隱形激光切割裝備能夠精確的在晶圓襯底內部進行改質并誘導產生優質的內部隱裂紋（BHC）以保障后續的晶圓減薄分割工序的質量可靠性，特別適用于先進存儲，3D先進封裝等超薄芯片的制造產業，可全面替代進口SDBG設備。 外觀
性能
HGL1352隱形激光切割裝備，是全自主研發、設計的國產高性能隱形激光切割裝備，針對以固態存儲器為代表的先進工藝半導體封裝產品。
| 設備型號 | HGL1352 |
| 光路來源 | 自主設計 |
| 激光器來源 | 中國 |
| 激光器冷卻方式 | 水冷 |
| 激光器質保 | 24000小時 |
| 激光器**功率 | >18W (@100KHz) |
| **加工晶圓尺寸 | 12寸 |
| 切割軸有效行程 | 310mm |
| 切割軸**速度 | 1000mm/s |
| 切割軸**加速度 | 1.5G |
| 切割軸直線度 | 1um |
| Index軸有效行程 | 310mm |
| Index軸定位精度 | ±1um |
| Z-軸重復定位精度 | 1μm |
| Θ軸**旋轉角度 | 120° |
| 切割載臺平整度 | ≤5μm |
| 平臺基座 | 大理石 |
| 切割平臺（X/Y軸） | 氣浮高速平臺 |
| Wafer Notch識別方式 | 校準器 |
| AF動態補償 | 支持 |
| AF測高方式 | 旁軸 |
| 光束整形 | SLM |
| 高/低倍影像識別 | IR Camera |
| 影像自動糾偏功能 | 支持 |
應用
SDBG 裝備所擔當的工藝過程是半導體先進封裝產業必不可少的“高精度晶圓襯底內部隱裂紋誘導加工”工藝制程，是半導體 3D 先進封裝產業的*重要核心裝備之一。在世界范圍內先進半導體芯片的“2.5D 封裝“ 和“3D 封裝”集成技術是提升 IC 的性能 (速度)、功耗 效率、成本效率的*重要手段，其代表封裝形態有，PBGA, FC-PBGA, 3D BGA，3D 集成芯片堆棧等。
SDBG 是 Stealth Dicing Before Grinding 的縮略簡稱，SDBG 工藝與傳統晶圓切割流程的不同，在【晶圓減薄】前，先在晶圓內部利用隱形激光誘導制作出高精度的【內部隱裂紋】，然后再對晶圓進行減薄拋光，使晶圓在減薄到需要保留的厚度時，研磨拋光的應力可以恰到好處的促使內部隱裂紋定向擴展，使晶圓上的獨立芯片自然分開，獲得高品質的超薄芯片（如上圖）。SDBG工藝的優勢不僅是高效、安全，還可以讓芯片更強（由于 SDBG 是在利用研磨減薄和拋光階段讓晶圓自然分開，可以完全釋放掉由于切割造成的晶圓內部應力，不會出現傳統切割無法避免的“崩 邊”、“龜裂”等質量風險，通過 SDBG 工藝獲得的超薄芯片，比傳統機械式切割工藝的DBG工藝的芯片強度高 30%以上），是國際上***、*安全，**效的超薄晶圓分割技術。
SDBG 工藝的先進性和技術優勢是需要結合諸如先進的隱形激光技術、多種復雜的裝備制造技術、先進控制技術等系統工程才能保障其工藝效果,關鍵核心技術是：
1、如何精確控制隱形激光在晶圓襯底內部的散射，均勻穩定的形成改質層以精確誘導產生向附有電路層 的晶圓正面發展，恰到好處的到達晶圓正表面。而此時晶圓不能分裂。
2、精準控制襯底內部的激光改質層深度，不能讓改質層到達需要保留的芯片厚度的范圍內（20~100μm）。
3、如何控制內部改質的應力強度及方向，保障隱裂紋的直線度，垂直度質量。
基于上述技術瓶頸，長期以來 SDBG 工藝裝備一直被國際裝備廠家所壟斷，是國內的技術空白裝備。
