粉體行業(yè)在線展覽
JGS1
面議
JGS1
1135
生長方法:氣煉法/合成
主要成分:SiO2
密度:2.2g/cm^3
熔點:1730℃
莫氏moh’s硬度:7
**安全使用溫度(連續(xù)):1000-1100℃
**安全使用溫度(短時間):1300-1400℃
耐熱急變溫度:800-1100℃
熱膨脹系數(shù)CTE:5.4*10^(-7)
介電常數(shù)(0~10^6Hz):3.7(常溫)
電導(dǎo)率(S/m):10^(-17)~10^(-16) (20℃ )
顏色:透明