粉體行業在線展覽
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碳化硅單晶生長爐
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哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司
黑龍江
面議
哈爾濱科友
碳化硅單晶生長爐
820
一、生產對象：
生產六英寸碳化硅晶體
二、爐體結構：
石英管爐，石英管內徑400mm以上；抽空管道材質304；機架及門板材質為鋁合金等滿足結構強度的材料；線圈內徑≥420mm; 表面帶絕緣涂層處理
三、底座結構：
需裝載架承載熱區，并可由合適的裝載卸載設備從底部進行裝載或卸載。
四、設備參數：
| 加熱系統： | 6英寸線圈 | 進氣閥（控制）： | 2個；工藝氬氣流量1100Sccm；氮氣流量55Sccm； |
| 工作溫度： | 滿足2650°C以內工藝要求；有效加熱功率≥40KW | 中頻感應電源： | 額定功率≥40KW，電流精度0.05%，諧振頻率（kHz）10-12KHz單高溫計配制，上測溫，僅用于溫度監視。測量范圍包括1000℃~3000℃，測溫精度 ±0.5%F.S.，測溫重復精度±2℃；測溫儀采用FLUKE E1RH系列紅外高溫計通氣 150sccm Ar 時工藝控壓(P)的精度：1500Pa以下的控壓精度：目標值±20Pa，1500Pa至10000Pa的控壓精度：目標值±50Pa |
| 線圈和坩堝相對位置移動系統： | 可以實現 慢速0.02～10㎜/h，快速≥100㎜/min的相對位置移動動作，升降系統需帶上下限位。使用機械泵加分子泵實現真空。 | 控制系統： | 全自動控制系統，實現整個長晶過程的全自動控制；采用功率控制模式。 |
| 冷態或空爐時包括放氣率的總漏率： | ≤5.0E-9mBar·L/s ；極限真空下，保壓12h，壓升≤5Pa。 | 控制系統數據和權限管理： | 可對長晶過程中的關鍵數據進行實時記錄并存檔，可追溯分析；直觀液晶顯示的人機交換界面，擁有用戶登錄及賬戶管理系統，為方便生產管理，可為不同的賬戶分配不同的權限。 |
| 工藝氣體流量測量控制器（MFC）： | 2個或以上;流量計精度±0.25％F.S.(＜35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.) | 裝料量要求及結構承重： | 下爐蓋及升降系統能承重48公斤或以上重量。 |
| 工藝氣體流量控制系統： | Ar和N2可按工藝節點設定，進行全自動坡度調節。 | 出爐/進爐方向： | 下出料。 |
