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金屬有機化學氣相沉積系統(MOCVD)

產地：法國AS；

科研型MOCVD設備，也稱為MOVPE，包含了**的液體直接注入工藝，同一腔室完成沉積和退火。

- 更低的設備及使用成本、更少的前驅體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質！

- 非常適合高校及研究所科研使用！

應用：- 金屬及合金， 氧化物， 氮化物， III-V， II-VI，...

- 半導體: SiO2， HfO2， Ta2O5， Cu， TiN， TaN， ...

- 氮化物及合金: GaN， AlN， GaAs， GaAsN...

- 高介電材料: SrTiO3， BaTiO3， Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...

- 鐵電材料: SBT， SBTN， PLZT， PZT，…

- 超導材料: YBCO， Bi-2223， Bi-2212， Tl-1223， …

- 壓電材料: (Pb， Sr)(Zr，Ti)O3， 改性鈦酸鉛...

- 金屬: Pt， Cu，...

- 巨磁阻材料...

- 熱涂層， 阻擋層， 機械涂層， 光學材料...

- 其他…

儀器參數：1/ 1~8英寸MOCVD系統；

2/ 專為滿足科研單位需求而設計；

3/ MC050 MOCVD系統可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；

4/ MC050 MOCVD配有前驅體直接處理單元，可在大范圍內使用MO源，用于外延材料的研發和制備；

5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統可實現在線退火工藝；

性能及特點：1/ 溫度范圍: 室溫至1200°C ；

2/ 帶質量流量控制器的氣體混合性能；

3/ 真空范圍: ~ 10^-3 Torr，可選配高真空；

4/ 選配手套箱；