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μAMOS紅外共焦激光失效分析儀

直接聯系

濱松光子學商貿（中國）有限公司

日本

產品規格型號

參考報價：

面議

關注度：

965

產品介紹

紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析系統“μAMOS”是一款半導體失效分析儀，使用IR-OBIRCH方式來定位漏電流路徑和LSI器件中的異常阻抗接觸部件。在特定頻率下，使用lock-in單元來探測OBIRCH信號可大大提高信噪比。而且，通過使用大電流探針頭，也可以對大電流高電壓工作的器件進行分析。

特性

圖像空間分辨率高
背面觀測（λ=1.3 μm）
可觀測高摻雜基底（Epi-sub）
使用紅外激光（λ=1.3 μm）意味著在半導體視場內不會產生OBIC信號，因此可探測到缺陷引發的OBIRCH信號
可以測量4象限電壓/電流
可升級到微光顯微鏡（選配）

應用

漏電流路徑定位

IDDQ失效分析

金屬缺陷探測

金屬線缺陷探測（空，硅節）
觸控（過孔）異常阻抗部件探測
金屬化過程監控

*:IDDQ (Quiescent power supply current，靜態供電電流)：IDDQ為MOS管開關完成后流過的靜態供電電流。

參數

產品名稱	uAMOS-1000
尺寸/重量	主單元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H)， Approx. 900 kg 控制臺：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 選配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H)， Approx. 45 kg
線電壓	AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗	約 3000W
真空度	約80 kPa或更大
壓縮空氣	0.5 MPa to 0.7 MPa

可用器件

晶片^*	前面	切塊后的芯片到300mm晶片
晶片^*	背面	200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通過增加選配來處理）

*：與選用探針的規格有關

封裝后IC	前面	芯片打開到表面的IC
封裝后IC	背面	鏡面拋光到硅基底的IC

紅外共焦激光顯微鏡

	掃描速度（秒/圖）
512×512	1	2	4	8
1024×1024	2	4	8	16

激光^*

1.3 μm激光二極管	輸出: 100 mW
1.3 μm高功率激光器（選配）	輸出: 超過400 mW
1.1 μm脈沖激光器（選配）	輸出: 200 mW (CW)， 800 mW (pulse)

*： For 1.3 μm laser， one of two laser can be integrated.

光平臺移動范圍^*

X	±20 mm
Y	±20 mm
Z	75 mm

*：由于探針或者樣品平臺的阻礙，該值肯會更小

透鏡放大

一個轉臺可選透鏡數達5個。

透鏡	數值孔徑	WD (mm)	視場	μAMOS-1000
1×: A7649-01	0.03	20	13×13	標配
2×: A8009	0.055	34	6.5×6.5	選配
M-PLAN-NIR-5×: A11315-01	0.14	37.5	2.6×2.6	標配
M-PLAN-NIR-20×: A11315-03	0.40	20	0.65×0.65	標配
M-PLAN-NIR-50×: A11315-04	0.42	17	0.26×0.26	選配
NIR 50×: A8756-01²	0.42	18.3	0.26×0.26	選配
High NA50×: A8018¹²	0.76	12	0.26×0.26	選配
M-PLAN-NIR-100×: A11315-05	0.50	12	0.13×0.13	標配
NIR 100×: A8756-02²	0.50	13.3	0.13×0.13	選配
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-06¹	0.70	10	0.13×0.13	選配
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-08¹²	0.70	6	0.13×0.13	選配

1：用¹來標記的鏡頭有兩種可選

2：用²來標記的鏡頭帶玻璃厚度補償功能

獲取OBIRCH圖像

	電壓固定型	電流固定型	微電流放大器
施加電壓	±10 mV to ±10 V	±10 mV to ±10 V	±10 mV to ±25 V
**電流	100 mA	100 mA	100 μA
探測率	1 nA¹	1 μV²	3 pA¹

1：為輸入放大器的**可探測脈沖信號

2：計算值

外形圖（單位：mm）

獲取更多信息，請訪濱松光子學商貿（中國）有限公司網站

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