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氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
面議
山東力冠
氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
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產(chǎn)品概述/Product Introduction:
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng)
Used for the growth of gllium nitride (GaN) single crystal
? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
Used for the epitaxial growth of gallium oxide (Ga?O?), aluminum nitride (AIN), indium. phosphide (InP) and gallium arsenide (GaAs)
坩堝下降爐
MPCVD長(zhǎng)晶爐
HVPE外延爐
垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
HVPE長(zhǎng)晶爐
籽晶粘接設(shè)備
液相法長(zhǎng)晶爐
PVT法長(zhǎng)晶爐
LPCVD臥式爐
LPCVD立式爐
SiC高溫退火爐
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037