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設備型號：ZHD400

鍍膜方式：多源蒸發鍍膜

真空腔室結構：立式方形前開門結構

真空腔室尺寸：L400mm×W440mm×H450mm

加熱溫度：室溫～ 300℃

基片臺尺寸：120mm×120mm

膜厚不均勻性：≤ ±5.0%

蒸發源：2-3 組金屬源 /2-3 組有機源

控制方式：PLC + 觸摸屏控制

占地面積：主機 L1710mm×W850mm×H1850mm

總功率：≥ 8kW

大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備

1. 設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

2. 設備配備多組蒸發源，兼容有機蒸發與無機蒸發 , 多源共蒸獲得復合膜。設計專業，功能強大，性能穩定；

3. 適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等。