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溫度參數(shù)：

· 溫度范圍：1.85K-400K

· VSM高溫爐可擴(kuò)展高溫至1000K

· He³制冷機(jī)可擴(kuò)展低溫至0.5K

· 稀釋制冷機(jī)可擴(kuò)展低溫至50mK

· 降溫時(shí)間：從300K降至1.9K并穩(wěn)定<40min

· 溫度穩(wěn)定性：±0.1% for T<20K（典型值）

±0.02% for T>20K（典型值)

· 控溫模式：連續(xù)低溫控制和溫度掃描模式

PPMS DynaCool溫度掃描曲線，300K降至1.9K少于40分鐘

磁場(chǎng)參數(shù)：

9T磁體

磁場(chǎng)范圍：±90000 Oe

達(dá)到滿場(chǎng)時(shí)間：<8min

掃場(chǎng)速率：0.1——200 Oe/S

初次啟動(dòng)時(shí)間：~16小時(shí)

14T磁體

磁場(chǎng)范圍：±140000 Oe

達(dá)到滿場(chǎng)時(shí)間：<40min

掃場(chǎng)速率：0.2——120 Oe/S（低場(chǎng)時(shí)更快）

初次啟動(dòng)時(shí)間：~40小時(shí)

功能選件——磁學(xué)測(cè)量

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)選件（VSM）

采用長(zhǎng)程電磁力驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，比傳統(tǒng)VSM馬達(dá)噪音更低。

采用超導(dǎo)磁體，磁場(chǎng)均勻度比傳統(tǒng)電磁鐵更好。

采用新型控溫技術(shù)，比傳統(tǒng)VSM控溫更好。

高溫爐組件可將VSM的高溫?cái)U(kuò)展至1000K

VSM測(cè)量參數(shù)：

靈敏度: < 10^-6 emu/tesla

噪音基: 6 x 10^-7 emu rms

精確度: < 5 x 10^-6 emu/tesla

振動(dòng)頻率: 40 Hz

振動(dòng)幅值: 0.5 to 10 mm

**可測(cè)磁矩: ~ 40 emu

**可測(cè)量磁矩: ~ 75 emu

探測(cè)線圈內(nèi)徑: 6.3 mm I.D. 12 mm I.D.（可選）

長(zhǎng)程電磁驅(qū)動(dòng)高精度馬達(dá)

新型交流磁學(xué)性質(zhì)測(cè)量選件ACMS II

可同時(shí)測(cè)AC和DC的磁學(xué)性質(zhì)，而且測(cè)交流磁化率精度很高，可與SQUID媲美。

交流磁化率

靈敏度: 1 x 10^-8 emu

交流場(chǎng): 0.005 Oe – 15 Oe (peak)

頻率: 10 Hz – 10 KHz

特有的校準(zhǔn)線圈組逐點(diǎn)測(cè)量并消除了背景相漂移

直流磁化強(qiáng)度

靈敏度: 5 x 10^-6 emu

交流磁化率線圈原理圖

光誘導(dǎo)磁測(cè)量選件（VSM FOSH）

該組件為研究光激發(fā)情況下物質(zhì)磁性變化的**選擇。可選波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)的光源。

單色光源 (MLS)

波長(zhǎng)范圍: 360 nm to 845 nm

光源: 氙燈 – 150 W

光纖：325 - 900 nm (D320-UV)

375-2250 nm (D320-IR)

樣品尺寸: 1.6 mm (max)

靈敏度: < 1 x 10-4 emu

可控電子快門

光磁樣品桿

扭矩磁強(qiáng)計(jì)選件（Torque Magnetometer）

磁各向異性的高精度測(cè)量**組件。

扭矩背景噪音： 1×10^-9 Nm

磁矩靈敏度： 1×10^-7 emu @ 9T 1×10^-8 emu @ 14T

扭矩測(cè)量范圍： ±10^-5 Nm

芯片尺寸： 6×6×1 mm³

安裝樣品區(qū)域： 2×2 mm²

**樣品尺寸： 1.5×1.5×0.5 mm³

**樣品質(zhì)量： 10 mg

角速度（度/秒）： 0.05 - 10（標(biāo)準(zhǔn)型） 0.0045 - 1（高精度 型）

角度步長(zhǎng)： 0.05°（標(biāo)準(zhǔn)型）0.0045°（高精度型）

磁扭矩高精度芯片

磁各向異性測(cè)量所用旋轉(zhuǎn)樣品桿

功能選件——電學(xué)測(cè)量

直流電輸運(yùn)選件（ DC Resistivity ）

電流范圍： 5nA - 5mA

**電壓： 95mV

電壓靈敏度： 20nV （典型值）

電阻測(cè)量范圍： 4μΩ - 4MΩ

測(cè)量精度： 0.01% （典型值）

高級(jí)電輸運(yùn)測(cè)量選件（ETO）

噪聲基：1 nV/rtHz

電壓輸出范圍：± 4.5 V (一倍增益時(shí))

電流范圍：10nA-100mA 持續(xù)操作

頻率范圍：直流或交流（0.1Hz-200Hz）

電阻測(cè)量精度：0.1% (R < 200 kΩ)

0.2% (R > 200 kΩ)

相對(duì)靈敏度：± 10 nΩ RMS (典型值)

電阻測(cè)量范圍：四線法10^-8Ω-10⁶Ω

二線法10⁶Ω-10¹⁰Ω

電測(cè)量用樣品托

范德堡法測(cè)電阻 channel1四點(diǎn)法測(cè)電阻

channel2霍爾測(cè)量

功能選件——熱學(xué)測(cè)量

比熱測(cè)量選件（Heat Capacity）

l 高精度、高自動(dòng)化程度的設(shè)計(jì)

l 便捷的樣品安裝裝置

l 具有自動(dòng)馳豫的精密量熱學(xué)技術(shù)

l 具有完備的數(shù)據(jù)收集電子設(shè)備和數(shù)據(jù)分析軟件

l 采用出色的雙 ι (two tau model™ )模型擬合技術(shù)

l 對(duì)于每一個(gè)測(cè)量點(diǎn)系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算和記錄德拜溫度

測(cè)量溫度范圍：1.9K - 400K（從2K開始出點(diǎn)）

配合He3 制冷機(jī)可達(dá)<0.4 K

配合稀釋制冷機(jī)可達(dá)50 mK

可測(cè)比熱范圍：1μJ/K – 100mJ/K

樣品尺寸： 1mg - 500mg（典型值20mg）

測(cè)量靈敏度： 10nJ/K @2K

測(cè)量精度： <5% @2K - 300K（典型值<2%）

比熱專用樣品托

不同磁場(chǎng)下比熱隨溫度的變化曲線

熱輸運(yùn)測(cè)量選件（TTO）

· 獨(dú)特的設(shè)計(jì)使得PPMS配合該選件， 能夠進(jìn)行以下參數(shù)的測(cè)量:

AC 電阻率

熱導(dǎo); 熱導(dǎo)率

塞貝克系數(shù)

熱電品質(zhì)因數(shù)

· 利用專用的樣品托進(jìn)行樣品安裝和固定， 不需要特殊的樣品桿

· 四端頭引線法將接線頭的熱阻和電阻效應(yīng)降到*低

· 在溫度不斷變化的情況下進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，能夠得到高密度的數(shù)據(jù)

· 特有的系統(tǒng)自適應(yīng)測(cè)量方案非常適合研究陌生材料

· 軟件可以精確的動(dòng)態(tài)建立熱流量模型，補(bǔ)償各種 可能的系統(tǒng)誤差

· 全自動(dòng)的測(cè)量過程，操作簡(jiǎn)單

熱傳導(dǎo)測(cè)量精度

± 5 %或± 2 μW/K， T < 15 K

± 5 %或± 20 μW/K， 15 K < T < 200 K

± 5 %或± 0.5 mW/K，200 K < T < 300 K

± 5 %或± 1 mW/K， T > 300 K

Seebeck 系數(shù)

測(cè)量精度：± 5 %或± 0.5μV/K 或± 2 μV

測(cè)量范圍：1 μV/K - 1 V/K

熱輸運(yùn)測(cè)量樣品示意圖

熱輸運(yùn)腔外檢測(cè)裝置

電阻率測(cè)量

**電流200mA

品質(zhì)因子測(cè)量

測(cè)量精度：±15%（取決于S）

測(cè)量速度（典型值）

±0.5 K/min，T>20 K；±0.2 K/min，T<20 K