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牛津Oxford等離子刻蝕沉積機System 100

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牛津Oxford等離子刻蝕沉積機System 100

該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。

具有工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。

主要特點

· 可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預制和試生產的能力

· 選擇單晶片/批處理或盒式進樣,采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統中,采用中央機械手傳送晶片,生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C

· 用于終端檢測的激光干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制

· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠端,遠離主要工藝設備

工藝

一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子:

· 低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應用于MEMS ,微流體技術和光子技術

· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)

· GaN、AlGaN等的預生產和研發工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

· 高品質,高速率SiO2沉積,應用于光子器件

· 金屬(Nb, W)刻蝕

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牛津Oxford等離子刻蝕沉積機System 100

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