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面議
大族半導(dǎo)體
刻蝕機(jī)
366
主要參數(shù) | 片盒數(shù)量 | 2CS&2LP |
配置 | 4 Etch unit | |
wafer 類型 | 圓片 | |
wafer 尺寸(mm) | 50-300 | |
產(chǎn)能(WPH) | 90 | |
化學(xué)藥液 | H2O2、強(qiáng)酸堿 | |
襯底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
適用工藝 | Wet Etch | |
干燥模式 | Spin Dry+N2 Dry |
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